常見真空腔體技術性能

材質：不銹鋼、鋁合金等

腔體適用溫度范圍：-190℃~+1500℃(水冷)

密封方式：氟膠O型圈或金屬無氧銅圈

出廠檢測事項：

1、真空漏率檢測1.3*10-10mbar*l/s

2、水冷水壓檢測：8公斤24小時無泄漏檢測.

內外表面處理：拉絲拋光處理、噴砂電解處理、酸洗處理、電解拋光處理和鏡面拋光處理等.

影響真空絕緣水平的主要因素

空隙間隔

真空的擊穿電壓與空隙間隔有著比較清晰的關系。試驗標明，當空隙間隔較小時，擊穿電壓跟著空隙間隔的添加而線性添加，但跟著空隙間隔的進一步添加，擊穿電壓的添加減緩，即真空空隙發作擊穿的電場強度跟著空隙間隔的添加而減小。當空隙到達一定的長度后，單靠添加空隙間隔進步耐壓水平已經好不容易，這時選用多斷口反而比單斷口有利。進氣口與筒體成偏疼放置，塵土隨氣流旋轉，因離心力效果而沉降在過濾器的底部。

一般以為短空隙下的穿主要是場致發射引起的，而長空隙下的的穿則主要是微粒效應所致。

電極資料

真空開關作業在10-2Pa以上的高真空，因為此刻氣體分子十分稀疏，氣體分子的碰撞游離對擊穿已經不起效果，因而擊穿電壓表現出和電極資料有較強的相關性。

真空空隙的擊穿電壓跟著電極資料的不同而不同，研究者發現擊穿電壓和資料的硬度與機械強度有關。一般來說，硬度和機械強度較高的資料，往往有較高的絕緣強度。比如，鋼電極在淬火后硬度進步，其擊穿電壓較淬火前可進步80%。

此外，擊穿電壓還和陰極資料的物理常數如熔點、比熱和密度等正相關，即熔點較高的資料其擊穿電壓也較高。比照熱和密度而言亦然。這一問題的實質是在相同熱能的效果下，資料發作熔化的概率越大，則擊穿電壓越低。

半導體真空腔體制造技術 

真空腔體在薄膜涂層、微電子、光學器件和材料制造中，是一種能適應高真空環境的特殊容器。真空腔體通常包括一系列部品——如鐘形罩、基板、傳動軸以及輔助井——這些構成一個完整的真空腔體。

復雜的真空腔體通常需要定制，即針對應用終端進行專門的設計和制作。某些常見的真空腔體已經過預先設計，如手套箱、焊接室、脫氣箱、表面分析真空腔等。例如脫氣箱和手套箱一般采用低真空環境，可用于焊接，或用于塑料制品、復合材料層壓板、封裝組件等的脫氣。影響真空絕緣水平的主要因素電極資料真空開關作業在10-2Pa以上的高真空，因為此刻氣體分子十分稀疏，氣體分子的碰撞游離對擊穿已經不起效果，因而擊穿電壓表現出和電極資料有較強的相關性。

真空設備包含很多組件，如真空腔體，真空密封傳導件，視口設置，真空傳感器，真空顯示表，沉積系統，蒸發源和蒸發材料，濺鍍靶材，等離子刻蝕設備，離子注入設備，真空爐，專用真空泵，法蘭，閥門和管件等。真空設備常用于脫氣，焊接，制備薄膜涂層，生產半導體/晶圓、光學器件以及特殊材料等。真空腔體常用的清洗方法1、放電清洗放電清洗一般用于高真空、超高真空腔體清洗中。